压电双晶片由多层压电陶瓷共烧而成,可独立控制每层陶瓷的驱动电压。压电双晶片的自由端可以弯曲 产生位移,位移的幅度和方向与施加的电压具有函数关系。
型号解读
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参数 |
数值 |
单位 |
公差 |
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运动轴 |
Z |
- |
- |
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最大位移 |
±28 |
μm |
±15% |
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迟滞 |
<15% |
- |
- |
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负载 |
1.5 |
N |
最大值 |
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驱动电压 |
0 - 150 |
V |
- |
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谐振频率 |
13.1 |
kHz |
最大值 |
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介电损耗 |
<2.0% |
- |
- |
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电容 |
840（单侧） |
nF |
±15% |
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工作温度范围 |
-25~130 |
℃ |
- |
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电极 |
未明确 |
- |
- |
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电缆长度 |
75 |
mm |
±5mm |
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居里温度 |
230 |
℃ |
- |
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外观尺寸 A |
20 |
mm |
±0.5mm |
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外观尺寸 B |
4 |
mm |
±0.1mm |
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外观尺寸 L |
1.2 |
mm |
±0.1mm |
根据环形双晶片致动器的不同应用场景,我们可以为您在性能参数和结构形状上提供产品定制。
驱动电压：常见 100V、120V、150V 等，特殊最大驱动电压可按需定制。
输出位移：最大位移行程可选 30μm。
工作频率：最高驱动频率 20kHz，超高频场景可定制更高频率。
焊接线束：满足 AWG 标准时可选配，焊点位置可在性能误差范围内选择。
外形尺寸：外径最小 8mm、最大 30mm；内径最小 1mm、最大 10mm；厚度最大 2mm 可定制。
