1、先进封装提升晶圆减薄机需求
2024年上半年，全球半导体呈现回暖态势，随着AI和HPC的快速发展，对芯片性能和功耗的要求不断提高，Chiplet和2.5D/3D推动HBM等先进封装技术成为主要方向，减薄设备是芯片堆叠技术、先进封装技术的关键核心设备，未来应用广泛。
 

（资料来源：中为咨询、3M、彬复资本、华金证券研究所）

晶圆减薄机是利用摩擦学原理，实现晶圆减薄工艺以达到封装工艺要求的关键设备。晶圆减薄工艺的作用是对已完成功能的晶圆（主要是硅晶片）的背面基体材料进行磨削，去掉一定厚度的材料，以便满足后续封装工艺的要求以及芯片的物理强度、散热性和尺寸要求。根据电子工程专辑及艾邦半导体网资料显示，6寸/8寸/12寸的晶圆厚度分别为625、725、775μm，在晶圆中总厚度90%以上的衬底材料是为了保证晶圆在制造、测试和运送中有足够的强度。随着3D封装应用逐渐增多，要求晶圆厚度减薄至50-100μm甚至50μm以下，以实现更好的散热效果和高密度封装，这将显著增加对减薄设备的品质需求。

全球减薄机市场高度集中，国产替代正在路上。根据YH Research（恒州诚思）资料显示，中国减薄机市场占据全球约51%的市场份额，为全球最主要的消费市场之一，且增速高于全球。但减薄机复杂程度高、技术攻关难度大、市场准入门槛高，长期被国外厂商高度垄断。全球市场上的主要减薄机生产商包括日本DISCO（迪斯科）、日本TOKYO SEIMITSU（东京精密）、日本KOYO SEIKO（光洋精工）、德国G&N（纽伦堡精密机械）等。根据未来半导体网资料显示，全球前三厂商占有85%的市场份额。其中日本DISCO与TOKYO SEIMITSU以出色的产品性能和满意的服务在行业中享有盛誉，2022年两家企业合计市占比已超65%，市场集中度较高。

2、减薄抛光一体机设备拥有广阔空间

 
（减薄工艺中采用研磨抛光等摩擦学原理）

晶圆减薄方法包括机械研磨、化学机械平坦化(CMP)、湿法蚀刻以及大气下游等离子体 (ADP)和干法化学蚀刻(DCE)。两种最常见的晶圆减薄方法是传统研磨/磨削和CMP，磨削是目前晶圆背面减薄的最传统的机械工艺，其基本原理是通过旋转的金刚砂轮对晶圆背面进行磨削，金刚砂轮基材通常有陶瓷、环氧树脂；CMP是使用研磨化学浆料和抛光垫进行材料去除，可以压平晶圆并平整表面上的不规则形貌，从而提供比机械研磨更好的平坦化效果。

减薄抛光一体机设备拥有广阔空间。TSV（硅通孔）要求晶圆减薄至50μm甚至更薄，要使硅孔底部的铜暴露出来，为下一步的互连做准备。然而在＜50μm这个厚度上，晶圆很难容忍减薄过程中的磨削对晶圆的损伤及内在应力，其刚性也难以使晶圆保持原有的平整状态，同时后续工艺的晶圆传递、搬送也遇到了很大的问题。目前业界的主流解决方案是采用一体机的思路，将晶圆的磨削、抛光、保护膜去除、划片膜粘贴等工序集合在一台设备内，晶圆从磨片一直到粘贴划片膜为止始终被吸在真空吸盘上，始终保持平整状态，从而解决了搬送的难题。

3、隐冠解决方案及特点

隐冠半导体可提供兼容6/8/12英寸晶圆的运动平台解决方案，还可提供减薄抛光一体机需要的多轴运动系统。XY轴双向重复精度达±0.5μm，Z轴双向重复精度高达±0.2μm，T轴双向重复精度达±2arcsec。全局平面度、直线度可达微米级。隐冠半导体拥有覆盖全国主要城市的售后团队，为您提供全方位的技术支持。

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